已向首要客户供给12层HBM4E样品，该产品是面向AI的下一代超高功能DRAM。相较上一代HBM4，HBM4E功能和能效均获得进一步晋级，引脚速率最高可达16Gbps，能效进步20%以上，显着提高AI崎岖和推理所必需的数据处理才能。
正处于下流需求迅速增长阶段。以为，AI算力催生HBM需求，HBM已成为AI芯片干流计划。HBM堆叠对测试机提出KGSD等新需求，存储测试机需求量价齐升。存储继续提价，两存上市在即，看好存储未来扩产继续性。存储测试机国产化率极低，国产化空间宽广。
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